SiC已成汽车新卖点，未来5年生产成本有望降至IGBT 3倍以内

在6000元－8000元/片，有所不同尺寸下，SiC硬质的定价是Si锡抛光片的30倍，且全球有约7转成SiC硬质的产品需求掌控在Cree手中的。

即便单片SiC硬质可以制造来得多芯片，但生产为加工后，SiC二极管的定价也比IGBT大于很多，业内专业人士问到，“SiC MOSFET定价是同层级IGBT的8倍以上，转成本过高，是造转成SiC推广未足的重要状况。”翠展和光子学实际上专业人士也持有所不同论者，其指出，“单讲高效率的话，我们可以在研究室数据分析很先进的高效率、很先进的涂层，但从做生意的大不相同，撇开转成本是没法谈（SiC）商业性前景及更进一步的产品，转成本太较差是不才会落地的。”

公开资料推断，现阶段纯和光动轿车中的，和光池转成本最高，有约九成整车转成本的40%；其次为IGBT，转成本九成比有约为8%，如果全部引入SiC涂层，单车的输出功率二极管转成本将与和光池更为，“这对主机厂来说，是很未足承受的转成本压力。”业内专业人士问到。

翠展和光子学实际上专业人士进一步分析指出，“SiC不十分困难所有掀背车，对短续航力的中的全方位掀背车来说，SiC有上车机才会，现阶段选配SiC二极管的掀背车，也就是说都是25万元以上的轿车，大部分定价在40万元约莫。部分A级国产车为了增加亦然因如此也才会选取SiC上车。而在A00、A0等掀背车上，近乎不才会选取SiC，而是选取IGBT。”

据了解，即便是常用IGBT，主机厂也在极尽所能转换转成本，五菱并作MINI EV作为A00级原先能源轿车均是由，首波高性价比，日本名古屋大学一份拆解报告推断，为了提高IGBT转成本预算，该车省去了动能多余组件，为了将减少IGBT常用量，同时引入的是化学工业级IGBT，而非车规级产品；并在散热组件上引入风冷而非主流的水冷方案，从而提高整车IGBT常用转成本。

只不过，对经济转变掀背车来说，非常十分困难选取转成本较差落的SiC二极管，即便是中的全方位掀背车，也并非全车选取SiC，而是部分选取，业内专家也问到，“没法比较简单地指出SiC比IGBT来得高级，两者是并存的关系，SiC摒弃IGBT有所不同转成本结构，这需要一个全过程。”

更进一步随着转成本持续下滑，翠展和光子学实际上专业人士指出，“SiC的涂层来得Si锡来得好，要等它的转成本下滑到更多较差的时候才才会普及化，我们预定，SiC的转成本下滑至Si锡转成本的2倍约莫，整个SiC和光驱系统的商业价值才能想得到增强。”据了解，2016年SiC单管的产品定价有约为110元/颗，现阶段已下滑至有约50元/颗，业内专业人士问到，“根据过去几年的定价渐进，SiC大概需要5年定价才会下滑一半；后续的产品需求上来，这个定价经济转变指标才会加快，预定还需要4-5年的时长，有所不同规格的SiC定价可以升到IGBT的3倍以内。”

（校对/James）

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